SILICON POWER - DDR4 - modul - 8 GB - SO DIMM 260-pin - 2666 MHz / PC4-21300 - ej buffrad

Silicon Power 8 GB DRAM-minnesmodul är utformad för dem som söker solid prestanda och tillförlitlighet. Med en minneshastighet på 2666 MHz och en matningsspänning på 1,2 V säkerställer detta DDR4 SDRAM-minne effektiv strömförbrukning samtidigt som det levererar smidig multitasking. Det har en 260-pins SO-DIMM-formfaktor som är kompatibel med olika enheter, vilket gör det till ett bra val för uppgraderingar. Den här produkten uppfyller standarder som FCC, RoHS och JEDEC och uppfyller miljöriktlinjerna, vilket säkerställer att användarna gör ett ansvarsfullt val utan att kompromissa med prestandan.

• 8 GB lagringskapacitet för effektiv applikationsprestanda
• Minneshastighet på 2666 MHz för smidig drift
• DDR4 SDRAM-teknik för förbättrad effektivitet
• Kompatibel med SO-DIMM 260-pin-enheter
• Överensstämmer med FCC-, RoHS- och JEDEC-standarder

• Effektiva prestanda
  Minneshastigheten på 2666 MHz möjliggör snabba dataöverföringshastigheter, vilket optimerar den totala prestandan för krävande applikationer och multitasking-miljöer.
• Miljövänlig och kompatibel
  Modulen följer flera standarder för efterlevnad, inklusive RoHS och WEEE, vilket säkerställer att den tillverkas med minimal miljöpåverkan.
• Stabil strömförsörjning
  Den här minnesmodulen arbetar med en matningsspänning på 1,2 V och främjar energieffektivitet samtidigt som prestandan bibehålls, vilket minskar den totala strömförbrukningen.
• Mångsidig kompatibilitet
  Den här minnesmodulen är utformad i en 260-pins SO-DIMM-formfaktor och är lämplig för ett brett utbud av bärbara datorer och kompakta system, vilket gör den till en mångsidig uppgradering.
• Tillförlitlig dataintegritet
  Med en icke-ECC-konfiguration ger modulen tillförlitlig dataintegritet för dagliga databehandlingsuppgifter, vilket bidrar till en stabil och effektiv prestanda.